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米乐m6官方网站:氮化硅陶瓷漏片特性之高硬度良好绝缘性能

发布时间:2024-09-08 10:39:12|来源:m6米乐在线登录| 作者:M6米乐官网 分类:新闻中心

  氮化硅陶瓷可用于多孔陶瓷的制备多孔氮化硅陶瓷兼具氮化硅陶瓷与多孔材料的性质,既具有氮化硅陶瓷的强度高、韧性好、抗蠕变性好、结构稳定性好、抗雨蚀、抗热冲击性能优良等优点,也具有多孔材料密度小,介电常数和介电损耗小等特性因此,多孔氮化硅可以应用于航空、航天领域,作为在恶劣环境下使用的天线罩材料用氮化硅陶瓷制造的雷达天线Ma的高速飞行器使用,其强度高、抗热震性和抗雨蚀性好。

  Si3N4结构中,α相结构的四面体晶形发生畸变,而β相在热力学上更稳定由于氧原子在α相中形成Si-O-Si离子性较强的的键,这使α相中的[Si-N4]四面体易产生取向的改变和链的伸直,原子位置发生调整,使得α相在温度达到1300℃以上时转变到β相,使其结构稳定。氮化硅是一种共价化合物,因此分子中间以极强的共价键互相融合,因此它具备很高的强度及溶点。

  氮化硅陶瓷不被铝、铅、锡、银、紫铜、镍等很多种多样熔化金属材料或铝合金所侵润或浸蚀,但能被镁、镍铬合金、不锈钢板等熔液所浸蚀。

  体积密度:3.1-3.3,抗弯强度:600-800MPa,外观颜色:黑灰色,产品纯度:99.9%

  常压下氮化硅(Si3N4)于1870℃左右分解氮化硅的热膨胀系数低,约为Al 203的1/3它的导热系数大,为18.4W /(m·K),同时具有高强度,因此其抗热震性十分优良,仅次于石英和微晶玻璃,热疲劳性能也很好室温电阻率为1.1×10Ω·cm ,900℃时为5.7×106Ω·cm ,介电常数为8.3,介电损耗为0.001—0.12.4氮化硅的化学性质。