光电子资料是以光子、电子为载体，处理、存储和传递信息的资料，首要运用在在光电子技能范畴，如咱们常见的光纤,光学功用晶体资料、光电存储与显现资料等。光电子资料在光电子技能中起着根底和中心的效果, 光电子资料将使信息技能进入新纪元．
从进步硅集成电路（ICs）功能价格比来看，增大直拉硅单晶的直径，仍是往后硅单晶开展的大趋势。硅ICs工艺由8英寸向12英寸的过渡将在近年内完结。估计2016年前后，18英寸的硅片将投入生产。
从进一步缩小器材的特征尺度，进步硅ICs的速度和集成度看，研发适合于硅深亚微米甚至纳米工艺所需的超高纯、大直径和无缺点硅外延片会成为硅资料开展的干流。
· 硅基光电集成一直是人们寻求的方针，其间怎么样进步硅基资料发光功率是要害。经过长时间尽力，2003年在硅基异质结电注入高效发光和电泵激射方面的研讨获得了打破性开展，这使人们看到了硅基光电集成的曙光。
· 别的，跟着在大尺度硅衬底上高质量GaAs外延薄膜的成长成功，向硅基光电混合集成方向也迈出了重要的一步！
量子级联激光器是单极性器材，原则上不受能带结构所限，是抱负的中、远红外光源，在自在空间通讯、红外对立、遥控化学传感、高速调制器和无线光学衔接等方面有着重要使用远景。
第三代（高温、宽带隙）半导体材和器材，首要指的是III族氮化物，碳化硅（SiC），氧化锌（ZnO）和金刚石等，它们不仅是研发高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器材、电路的抱负资料，并且III族氮化物和ZnO等仍是优异的短波长光电子资料。
· 在通讯、轿车、航空、航天、石油挖掘、全色大屏幕显现、全固态白光照明、超高密度光存储读写光源和海底光通讯以及国防等方面存在广泛的使用远景，是现在世界高技能研发的要点范畴。
· 纳米（低维）半导体资料，通常是指除体资料之外的二维超晶格、量子阱资料，一维量子线和零维量子点资料，是自然界不存在的人工规划、制作的新式半导体资料。MBE、MOCVD技能和微细加工技能的开展与使用，为完成纳米半导体资料成长、制备和量子器材的研发发明了条件。
· 现在，以GaAs、InP为代表的晶格匹配或应变补偿的超晶格、量子阱资料系统已开展得适当老练，并成功地用来制作微电子和光电子器材与电路。现在开展的方向是研发光电集成芯片资料和器材，以满意新一代光纤通讯和智能光网络开展的需求。
· 磁记载资料仍是现在最重要的存储资料，估计到2006年左右，磁性资料中磁记载单元的尺度将到达其记载状况的物理极限（100Gb/in2）。
· 使用光存储技能，其存储密度可随光波波长的变短而得到成倍的增加，但光存储技能的面密度也已挨近光学衍射极限。
· 探究寻觅可有用的海量光存储新资料和开展比如三维光存储技能、全息光存储技能和近场光存储等是现在的主攻方向。
由电子-光子、电子结合-光子方向开展。开发利用电子的自旋，光子的偏振、位持平特点和波函数工程与量子态调控等。
由体资料-薄层、超薄层微结构资料-集资料、器材、电路为一体的功用集成芯片资料-有机/无机复合资料-无机/有机/生命体复合和纳米结构资料和量子器材方向开展。
由同质外延-晶格匹配、小失配和应变补偿异质外延-大失配异质外延资料系统开展。
伴跟着资料向低维结构和大失配异质外延资料系统开展，系统也将完成从均匀向非均匀和由线性向非线性以及由平衡态向非平衡态的过渡。
包含：硅基单电子存储器和单电子晶体管及其集成探究； 应 变自拼装量子点、线的可控成长和器材；微腔激光器和光子晶体；硅基高效发光资料与器材和 稀磁半导体异质结构与自旋极化量子器材等。
抱负的柔性衬底精确的说是柔性层与刚性的衬低和外延层之间分别是经过范得瓦耳力和键合力结合，它可用于吸收大晶格失配带来的应变，防止在外延层中发生很多的失配位错和缺点。
深入开展硅基悬浮柔性层、量子点柔性层、活性原子层和重位晶界柔性层等制备技能讨论研讨，对开辟新式异质结构资料系统有着十分十分重要的含义。
类钙钛矿结构氧化物兼有绝缘体、半导体、铁磁体和超导体功能，对其结构和性质的深入研讨，有或许开辟一条研发新式宽禁带半导体资料的新途径。
包含：新式海量存储、三维光存储资料、器材与使用；全息存储和近场光学存储技能与使用等。
包含：金刚石有着极高的硬度、导热率、抗辐照、耐高温与抗腐蚀和优胜的光学与电学功能，一直是资料科学研讨的热门，但至今未能获得打破，坚持进行立异研讨，有望在此范畴获得位置。
