在半导体职业革新的浪潮中，香港科技大学（港科大）于12月31日揭开了全球创始的深紫外MicroLED显现阵列晶圆的奥秘面纱。这款高效能的晶元，结合了无掩模紫外光光刻技能，在提高光输出功率密度的一起，大幅度降低了出产所带来的本钱，并加快了半导体芯片的制造进程。
此次开发的项目由港科大工学院的郭海成教授领衔，与南边科技大学及中国科学院姑苏纳米所的专家们一起携手完结。谈及传统光刻机，这但是半导体制造的“发动机”。它选用短波长的紫外光构成杂乱图画，以出产林林总总的集成电路。但是，运用惯例汞灯和传统紫外LED光源时，呈现了尺度巨大、解析度低和能源消耗高级一系列瓶颈，令芯片制造面对窘境。
为打破这种窘境，研讨团队发明了一种无掩模光刻原型机，并成功完成了全球首个由深紫外MicroLED进行无掩模曝光的MicroLED显现阵列晶元。在该过程中，研讨者们提高了紫外光的萃取功率，增强了热散布效能，一起也改进了晶体外延的应力开释，技能催化剂般地推动了前进。
郭教授骄傲地说到，团队的MicroLED显现阵列晶元不只突破了多项关键技能，比如光源功率和效能提高、显现解析度的跃升以及快速曝光才能的增强，还在技能创新中迈出了坚实的一步。
跟着低本钱、高精度的无掩模光刻技能渐渐的变成为业界的研制热门，短波长MicroLED显得很重要，由于它可以灵敏调整曝光图画，为半导体设备的自主开发注入新动力。港科大电子及计算机工程学系的冯锋博士表明，与以往的代表性研讨比较，团队的成果在器材尺度、驱动电压、外量子功率、光功率密度、阵列规划及显现解析度等多个视点均完成了明显提高。
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