9月6日至8日，由中科院上海微体系与信息技能研讨所和信息功用资料国家要点实验室主办的第十届中红外光电子学：资料与器材世界会议（The 10th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics:Materials and Devices）在上海举办。来自美、英、法、德、奥地利、俄罗斯、意大利、瑞士、加拿大、捷克、波兰、比利时、芬兰、日本、韩国、我国等16个国家和台湾地区的150多位专家学者和研讨生参加了会议。会议约请在中红外范畴做出抢先或抢先队伍成果的极有影响的六位科学家做了主题约请陈述，十位科学家做了特邀陈述和口头陈述与沟通陈述。与会代表聆听了11场陈述会，环绕中红外光电子学范畴资料与器材及其运用的热点问题进行深化的研讨与沟通。
“咱们把从事快速开展的2-25微米中红外光电资料、器材、运用范畴的科学家和最终用户集合在一起，供给一个研讨该范畴半导体光源、探测器及其在气候变化、环境污染监控、医学确诊和疆土安全、大气通讯、红外制导等运用的论坛。三天的11场大会陈述和沟通陈述使我们收获颇丰，深入体会到中红外光电子学在中红外物理、资料科学和器材运用获得严重开展,中远红外半导体光源已从1994年创造4.2微米中红外量子级联激光器到现在掩盖2.63~360微米, 室温脉冲峰值功率从毫瓦开展到116瓦,引导了战略性新兴工业的鼓起和开展,成为世界上要点开展的战略性学科和工业方向。新一代中红外光源资料、结构已取突破性开展”。大会主席、美国国家科学院外籍院士、中科院上海微体系所李爱珍研讨员介绍说。
我国科学院院士干福熹特邀嘉宾到会大会。阿尔卡特-朗讯半导体研讨副总裁、美国国家科学院和国家工程院院士、我国科学院外籍院士卓以和博士是分子束外延之父和中远红外量子级联激光器创造人之一，曾多次获诺贝尔奖提名，全程参加了大会。中红外量子级联激光器创造人之一J.Faist教授在大会特邀主题陈述中指出，自1962 年创造根据带间跃迁的近红外半导体激光二极管以来，作业于0.8-1.5微米的近红外光电子资料和器材引领了光通讯高新技能走上工业化，成为信息工业的重要支柱。继后，科学家持续尽力，开辟波长坐落2-25微米波段的中红外半导体激光器。经过22年的悉心立异研讨，根据超晶格、量子阱概念和分子束外延技能的创造与开展，于1994 年美国贝尔实验室创造了根据带内人带跃迁的4.3微米中红外单极型半导体激光器，完毕了30年缺少抱负中红外半导体光源的停滞不前徜徉局势，这在许多科学家看来，“是半导体激光器开展的第二个革新里程碑”，引起美、欧半导体科学家、政府、学术社团的高度注重，预见由中红外量子级联激光器、结合20世纪八十年代以来开展起来的新一代量子阱中红外探测器、量子阱激光器构架的中红外光电子学范畴以其科学与技能的原始立异挑战性和实际运用的战略地位展现在全世界面前，将开辟窄禁带中远红外半导体光电子量子物理、资料、器材前沿交叉学科、前沿原创技能和光电子学的簇新运用范畴并构成新工业。
因为引发全球气候变暖的气体、运用的爆炸物和生化毒物、导弹喷发的尾焰、人体疾病等的气体、液体的基频特征指纹吸收谱线坐落中红外波段，作业于该波段的光电子资料和器材对痕量气体的检测具有高灵敏度、在线、实时监测的长处，难以代替的优越性，在全球气候变化、环境保护、癌症的非介入实时医学确诊和预警、红外制导、反恐、大气保密通讯有重要的实际的运用价值和非常重要的战略地位。“是具有战略性、前瞻性、可持续性的前沿高新科学技能。正因为它在疆土安全和人类安全上的重要战略意义，因而倍受欧、美注重，给予高强度出资，开展非常迅速”。瑞士苏黎世大学J.Faist教授的观念得到了与会者的共识。
鉴于中红外光电范畴的重要性，由欧洲科学家建议，自1996年在英国兰卡斯特大学举办第一届中红外光电子资料与器材世界会议以来，已开展成为重要系列世界会议，轮流在欧洲和美国举办。2005年我国李爱珍研讨员被选聘为IC-MIOMD科学委员会委员，是来自亚洲的仅有委员。2005年她向科学委员会提出在我国上海举办IC-MIOMD会议的请求。中科院上海微体系地点国内从事中远红外半导体激光器和探测器资料、器材、模块的研讨成果得到世界同行的必定。2007年在奥地利举办的第八届IC-MIOMD会议上，经科学委员会评论表决经过，确认2010年9月在我国上海举办第十届中红外光电子资料与器材世界会议，由李爱珍担任大会主席，这是该重要系列世界系列会议初次从欧洲和美国移师到亚洲举办。
据专家介绍，中红外半导体激光器、探测器等光电子资料和器材及其运用是非常灵敏的波段又是前沿高端科技。当时，世界上公认中红外光电子学是前沿学科范畴和极重要的战略性新兴工业，政府和科技安排都把它作为严重科技范畴加以布置。我国科学院在中红外激光器资料和器材范畴在国内处于抢先地位，探测器资料和器材范畴在国内处于抢先队伍。此次会议推动了我国半导体光电范畴从近红外波段向中红外、远红外（25~1000微米，太赫兹30~300微米）光电子范畴和科学技能范畴的开展。
